【编者按】AI芯片竞赛已进入白热化阶段，HBM高带宽内存成为决胜关键。在这场技术马拉松中，三星电子悄然抢跑——他们宣布全球首款12层HBM4E内存样品已送达主要客户手中，比主要竞争对手SK海力士抢先一步。这不仅是三星在AI存储领域的阶段性胜利，更标志着HBM赛道正式进入“3.0时代”。从HBM4到HBM4E，带宽、能效、叠层全部刷新，AI模型训练和超大算力中心的能耗焦虑或迎来缓解。但别急着定胜负：SK海力士已蓄势待发，下半年样品交付箭在弦上。一场围绕HBM4E的龙虎斗，刚刚拉开帷幕。接下来，让我们直击技术细节，看三星如何用6纳米DRAM和4纳米逻辑芯片，打出这张“AI算力王牌”。

三星率先抢跑HBM4E竞赛，竞争对手SK海力士正加紧筹备客户样品

三星电子本周五宣布，已开始向主要客户提供全球首款12层HBM4E芯片样品，这是其在AI存储市场抢夺份额的最新动作。

此次发布距三星开始HBM4量产仅过去三个月。随着AI模型和超大规模数据中心需求激增，内存厂商正在加速下一代芯片研发。

三星称，12层HBM4E支持单引脚14-16Gbps传输速度，比前代HBM4提升超过20%。

该芯片每堆栈带宽达3.6TB/s，三星表示这一水平将显著提升大型语言模型等高级AI工作负载的计算性能。

12层HBM4E产品提供48GB内存容量，较前代提升超过30%。三星计划根据客户需求和系统要求，推出32GB八层和64GB十六层版本。

新产品采用三星第六代10纳米级DRAM工艺（1c DRAM），以及自有代工技术生产的4纳米逻辑芯片。

三星表示，先进DRAM与逻辑工艺的结合，提升了生产稳定性、良率和量产准备度。

通过低功耗设计和封装优化，新产品的能效比前代提高16%，热阻特性改善超过14%。

三星计划根据客户时间表开始该产品的批量供应。

"继HBM4成功量产后，三星再次以HBM4E展现了独特技术优势，"三星电子内存开发负责人Hwang Sang-joon表示，"凭借先进制造能力和前瞻性基础设施投资，我们将持续推动全球AI内存市场增长。"

业内消息称，HBM4E市场竞争预计将更加激烈，同城对手SK海力士也在准备向客户发送样品。原计划今年下半年开始出货，若开发进展顺利，时间表可能提前。