三星电子与SK海力士将于本月29日同日公布去年第四季度最终业绩。两家公司选择在同一天举行业绩说明会（电话会议），实属罕见。市场目光聚焦于当日即将披露的详细业绩报告。尤其值得关注的是，在全球存储半导体繁荣态势下，两家公司通过高带宽内存（HBM）、通用DRAM、NAND闪存等产品的“组合”策略所展现出的营业利润率，已成为焦点所在。
根据22日金融监督院电子公示系统信息，SK海力士将于29日上午9点率先公布业绩。市场预计SK海力士仅在去年第四季度就实现了超过31万亿韩元的销售额和最高达18万亿韩元的营业利润。其中关键看点在于营业利润率。核心悬念在于：这家制造企业能否实现惊人的50%级别的营业利润率？
29日上午10点，三星电子将举行最终业绩发布及说明会。此前，三星电子已凭借去年第四季度初步业绩——销售额93万亿韩元、营业利润20万亿韩元——预告了“业绩惊喜”。这是该公司首次实现季度销售额突破90万亿韩元大关。证券界推测，此前一度陷入苦战的半导体（DS）部门，其营业利润也达到了约15万亿韩元。
三星电子与SK海力士创纪录的业绩表现，主要归功于人工智能热潮推动的HBM需求激增。继去年全年在HBM市场占据主导地位的SK海力士之后，三星电子也已重整阵容加入竞争，预示着今年两家公司的技术角逐将更加白热化。尽管SK海力士在去年上半年始终保持了HBM3E（第五代HBM）12层产品供应的主导权，但三星电子也从去年下半年开始增加供应量，从而增强了盈利能力。
由HBM产能扩张导致通用DRAM供应短缺、价格飙升从而带动的通用内存复苏，是另一个不可忽视的关键因素。此外，由于数据中心等使用的企业级SSD需求激增，长期受困于价格防御战的NAND闪存业务也崛起为重要的利润来源。部分市场调研机构预测，今年NAND对营业利润的贡献占比将很高，堪比通用DRAM。
在存储半导体市场进入超级繁荣期之际，核心问题在于HBM、DRAM和NAND生产的战略分配。尽管两家公司计划明年小幅增加DRAM产量，但要完全满足所有市场需求仍具挑战，因此需要一定程度的“选择与集中”。半导体行业一位消息人士解释道：“曾有一段时间，HBM的盈利能力是DRAM的5到6倍，但最近随着通用DRAM价格也大幅上涨，根据市场状况分配供应量的‘商业诀窍’将导致营业利润率出现差异。”
对于三星电子，关注点集中在DS（半导体）部门中除代工业务外的内存事业部的业绩表现。证券界目前预估，其内存事业部的营业利润将接近18万亿韩元，与SK海力士水平相当。然而，考虑到三星电子在DRAM、NAND等产品的整体产能上大于SK海力士，有观察认为，从营业利润率角度看，SK海力士可能实现了更“赚钱的生意”。
证券界预计，两家公司今年的合计营业利润将首次突破200万亿韩元。Kiwoom证券研究员Park Yu-ak预测三星电子营业利润将达到120万亿韩元，并表示：“三星电子将大幅扩展其HBM3E客户群，出货量预计较上年增长三倍以上。”KB证券研究部门负责人Kim Dong-won预估SK海力士的DRAM营业利润约为100万亿韩元，并指出：“预计今年年度营业利润将达到115万亿韩元，较上年增长154%。”
